HY57V561620CLT-HI是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于同步动态RAM(SDRAM)类别。该型号具有较高的数据存取速度和容量,适用于需要高性能内存的嵌入式系统、工业设备和消费电子产品。HY57V561620CLT-HI采用CMOS工艺制造,支持同步操作,以提高系统的整体运行效率。
类型:DRAM
子类型:SDRAM
存储容量:256Mbit
组织结构:x16
电压:3.3V
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
数据速率:166MHz
数据宽度:16位
刷新周期:64ms
HY57V561620CLT-HI具有多项技术特性,使其适用于高性能存储应用。该芯片支持同步模式,允许数据在时钟的上升沿进行读写操作,提高了数据传输的精确性和稳定性。其高速时钟频率达到166MHz,能够满足对数据处理速度要求较高的系统需求。此外,该芯片的访问时间为5.4ns,确保了快速的数据响应能力,有助于提升系统整体性能。
该SDRAM芯片采用CMOS技术,具有较低的功耗特性,适合对功耗敏感的应用场景。其3.3V供电电压设计兼容多种电源系统,便于集成。HY57V561620CLT-HI还支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在不连续读取时仍能保持稳定,减少了外部控制器的负担。
封装方面,该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)形式,54引脚设计使其在PCB布局中占用空间较小,适合高密度电路设计。此外,其工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),能够在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、通信设备和车载系统等领域。
HY57V561620CLT-HI广泛应用于需要高性能存储的嵌入式系统、工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品。例如,在工业控制领域,该芯片可用于存储实时运行数据和程序代码;在通信设备中,可作为高速缓存用于提升数据处理效率;在消费类电子产品中,如高清电视和多媒体播放器,也可用于提升系统运行速度。此外,该芯片还可用于车载电子系统、医疗设备和测试仪器等对稳定性和可靠性要求较高的应用场景。
IS42S16256BCL-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632K-LC60