时间：2025/9/2 10:11:46
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HY57V561620CLT-HI是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于同步动态RAM（SDRAM）类别。该型号具有较高的数据存取速度和容量，适用于需要高性能内存的嵌入式系统、工业设备和消费电子产品。HY57V561620CLT-HI采用CMOS工艺制造，支持同步操作，以提高系统的整体运行效率。
类型：DRAM
子类型：SDRAM
存储容量：256Mbit
组织结构：x16
电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
数据速率：166MHz
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
HY57V561620CLT-HI具有多项技术特性，使其适用于高性能存储应用。该芯片支持同步模式，允许数据在时钟的上升沿进行读写操作，提高了数据传输的精确性和稳定性。其高速时钟频率达到166MHz，能够满足对数据处理速度要求较高的系统需求。此外，该芯片的访问时间为5.4ns，确保了快速的数据响应能力，有助于提升系统整体性能。
该SDRAM芯片采用CMOS技术，具有较低的功耗特性，适合对功耗敏感的应用场景。其3.3V供电电压设计兼容多种电源系统，便于集成。HY57V561620CLT-HI还支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不连续读取时仍能保持稳定，减少了外部控制器的负担。
封装方面，该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）形式，54引脚设计使其在PCB布局中占用空间较小，适合高密度电路设计。此外，其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和车载系统等领域。
HY57V561620CLT-HI广泛应用于需要高性能存储的嵌入式系统、工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品。例如，在工业控制领域，该芯片可用于存储实时运行数据和程序代码；在通信设备中，可作为高速缓存用于提升数据处理效率；在消费类电子产品中，如高清电视和多媒体播放器，也可用于提升系统运行速度。此外，该芯片还可用于车载电子系统、医疗设备和测试仪器等对稳定性和可靠性要求较高的应用场景。
IS42S16256BCL-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632K-LC60
