容量：256MB
　　组织结构：4M x 16位 x 4组
　　电压：2.5V
　　时钟频率：最高可达166MHz
　　数据速率：166MHz DDR
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　工艺技术：CMOS
　　数据总线宽度：16位
　　封装尺寸：54-TSOP
　　刷新模式：自动刷新/自刷新

HY57V28820HCT-I 是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，采用了双倍数据速率（DDR SDRAM）技术，使其在相同的时钟频率下，数据传输速率是传统SDRAM的两倍。该芯片具有较高的存储密度，其256MB的容量由4个16位宽的4M存储单元组成，适合需要大量缓存或主存的应用。芯片支持166MHz的时钟频率，使其在高频操作下依然保持稳定性能。
　　此外，该芯片采用了CMOS工艺技术，具有较低的功耗，支持自动刷新和自刷新模式，可以在不频繁访问的情况下保持数据完整性，同时减少功耗。其封装形式为54引脚的TSOP，适合高密度PCB布局，并且具有良好的散热性能。HY57V28820HCT-I的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的嵌入式系统和工业控制设备。

HY57V28820HCT-I 广泛应用于需要高速内存处理能力的电子设备中。其高数据传输速率和较大的存储容量使其成为图像处理设备、嵌入式系统、工业自动化控制设备以及网络通信设备的理想选择。例如，在工业自动化系统中，该芯片可用于缓存大量实时采集的数据，从而提高数据处理效率；在图像处理设备中，其高速特性能够支持快速的图像加载和渲染，提升系统响应速度；在网络设备中，如路由器和交换机，HY57V28820HCT-I 可作为主存或缓存，提升数据包处理能力。此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如多媒体播放器、智能电视和游戏机等，满足其对高性能内存的需求。

IS42S16800B-6T, K4S561632K-TC10, MT48LC16M16A2B4-6A