时间：2025/9/1 14:18:06
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HY57V28820HCT-8是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高速CMOS型DRAM。该芯片采用SOP（Small Outline Package）封装，容量为256Mbit（32MB），组织形式为4M x 8。其主要设计用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统和工业控制设备。
容量：256Mbit
组织形式：4M x 8
封装类型：TSOP
电源电压：3.3V
最大访问时间：8ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：8位
引脚数量：54
HY57V28820HCT-8是一款高性能DRAM芯片，具备高速数据访问能力，其最大访问时间为8ns，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用CMOS技术，功耗较低，有助于在长时间运行的系统中实现节能效果。
其TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，同时提高高频工作下的信号稳定性。此外，该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在较为严苛的环境条件下使用。
256Mbit的存储容量和8位数据宽度设计，使其适用于中等规模缓存、图像处理缓冲区、网络设备数据存储等应用场景，具备良好的性价比。
HY57V28820HCT-8广泛应用于各种嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和多媒体产品中。例如，它可以作为图像处理模块的缓存，用于摄像头或视频采集设备；也可作为网络设备的数据缓冲器，提升数据传输效率；此外，该芯片还可用于工业自动化设备的临时数据存储单元，支持高速运算和临时数据保存。
由于其工业级温度范围和稳定性，该芯片也适用于户外设备、车载电子系统和自动化控制设备等需要高可靠性的应用场景。
IS42S16800B-8MLI, MT48LC16M2A2B4-6A
