容量：256MB
　　组织结构：2M x 8 x 4 Banks
　　封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据速率：166MHz
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　访问时间：5.4ns

HY57V28820HCLT-SI 采用了先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点，适用于对功耗敏感的应用场合。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性，从而减少系统功耗。此外，其高速访问时间为系统提供了更快的数据处理能力，提升了整体系统性能。
　　这款DRAM芯片还具备良好的兼容性，适用于多种嵌入式系统和工业设备。其TSOP封装形式有助于提高封装密度并降低电磁干扰（EMI），从而增强系统的稳定性。工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），使其能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业自动化、通信设备、网络设备等领域。
　　HY57V28820HCLT-SI 的多存储体架构（4 Banks）支持并行操作，提高了内存的吞吐量和访问效率，使其能够满足高带宽应用的需求。此外，该芯片支持异步和同步操作模式，为设计者提供了更高的灵活性。

HY57V28820HCLT-SI 常用于需要中高容量内存的嵌入式系统和工业控制设备中。典型应用包括工业自动化控制器、通信设备、网络路由器和交换机、测试与测量设备、医疗设备、安防监控系统等。由于其高性能和宽温工作范围，该芯片也适用于车载电子系统和户外设备等对环境适应性要求较高的应用场合。

IS42S16800G-6T, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632H-UC