容量：256MB
　　组织方式：x8/x16
　　电压：3.3V
　　封装：TSOP
　　速度等级：-6（对应访问时间6ns）
　　温度范围：工业级（-40℃至+85℃）
　　数据宽度：8位或16位
　　时钟频率：最大166MHz

HY57V28820ALT-6 芯片具备多种高性能特性。首先，它的高速访问时间为6ns，使其能够在高频率下稳定工作，满足高性能系统的需求。其次，该芯片支持两种数据宽度配置，即x8和x16模式，为不同的系统架构提供了灵活性。
　　此外，这款DRAM芯片采用3.3V供电电压，相较于早期的5V供电DRAM芯片，功耗更低，适合对能耗敏感的应用环境。其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于空间受限的电子设备。
　　芯片的工作温度范围为-40℃至+85℃，属于工业级温度范围，因此能够在较为严苛的环境中稳定运行。这使得HY57V28820ALT-6适用于工业自动化、通信设备、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
　　另一个重要特性是其兼容性。这款芯片符合标准的DRAM接口规范，可以方便地与多种处理器和控制器进行连接，降低了系统设计的复杂度。

HY57V28820ALT-6 广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费电子产品以及汽车电子系统。在嵌入式系统中，该芯片可作为主存储器，为系统提供高速的数据访问能力。在工业控制设备中，其工业级温度范围保证了在高温或低温环境下依然能够稳定工作。在网络设备中，高速数据处理需求使得这款DRAM芯片成为理想选择。此外，在汽车电子中，其可靠性和稳定性能够满足车载系统的严格要求。

IS42S16800B-6TL, MT48LC16M2A2B4-6A