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HY57V281620HCT-H . 发布时间 时间:2025/9/2 2:45:11 查看 阅读:5

HY57V281620HCT-H 是由现代(Hyundai,现为SK Hynix)生产的一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。这款芯片广泛应用于各类电子设备中,如个人电脑、工业控制系统、通信设备和嵌入式系统。该器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高集成度和高性能的特点,支持突发式数据传输,适用于需要高速数据处理的应用场景。

参数

容量:256Mbit
  组织形式:16M x 16
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据速率:10ns / 143MHz
  时钟频率:143MHz
  接口类型:LVTTL
  刷新周期:64ms
  数据宽度:16位
  突发长度:1, 2, 4, 8, 或全页
  预充电模式:自动预充电
  封装尺寸:54-pin TSOP

特性

HY57V281620HCT-H 是一款高速SDRAM芯片,其主要特点包括高速数据访问、低功耗设计和高集成度。
  首先,该芯片支持143MHz的时钟频率,提供10ns的访问速度,可以满足高速数据处理的需求。突发模式支持多种长度(1、2、4、8或全页),提高了数据传输效率,特别适用于需要连续读写的应用场景。
  其次,该芯片采用低电压3.3V供电,符合当时主流的LVTTL接口标准,具有良好的兼容性和较低的功耗。同时,其CMOS制造工艺不仅降低了静态功耗,还提高了抗干扰能力和稳定性。
  此外,HY57V281620HCT-H 提供了自动预充电功能,减少了控制器的复杂度,提升了整体系统效率。其64ms的刷新周期确保了数据在不频繁刷新的情况下仍能保持稳定,适用于长时间运行的设备。
  该芯片采用54引脚TSOP封装,适用于空间受限的高密度PCB设计,具有良好的热稳定性和机械可靠性。工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于各种恶劣环境,如工业控制、车载系统和通信设备等。
  最后,HY57V281620HCT-H 的设计与当时主流的SDRAM控制器兼容,易于集成到现有的嵌入式系统和主板设计中。

应用

HY57V281620HCT-H 适用于多种需要高速内存的电子设备和系统中。在个人计算机中,它常被用作主内存的扩展芯片,尤其是在早期的台式机和笔记本电脑中,提供稳定的数据存储能力。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC、工控机和自动化设备,确保高速数据处理和实时响应。在通信设备方面,HY57V281620HCT-H 可用于路由器、交换机和基站设备中的缓存存储,提升数据转发效率。此外,它也广泛应用于嵌入式系统、多媒体设备、打印机和扫描仪等外设中,满足多种应用场景对内存性能的需求。

替代型号

IS42S16200B-6T, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632H-BLTC

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