时间：2025/9/2 1:37:48
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HY57V281620HCT-8 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片采用16M x16的组织结构，总容量为256MB，工作电压为3.3V，属于异步DRAM类型，适用于需要中等容量高速存储的电子设备。
型号：HY57V281620HCT-8
容量：256MB（16M x16）
电压：3.3V
类型：DRAM
访问时间：8ns
封装形式：54-TSOP
工作温度范围：0°C至70°C
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
HY57V281620HCT-8 是一款高性能异步DRAM芯片，具有较高的数据存取速度和可靠性。其8ns的访问时间使其适用于需要快速数据处理的场合。芯片采用CMOS技术制造，功耗较低，同时具备良好的稳定性。该器件支持异步操作，适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。此外，其TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提高散热效率。
这款DRAM芯片的异步特性意味着它不需要与系统时钟同步即可进行读写操作，从而简化了接口设计。其16位的数据总线宽度能够提供较宽的数据传输带宽，适用于需要大量数据吞吐的场景。HY57V281620HCT-8 还具备自动刷新功能，以确保数据在不被频繁访问的情况下仍能保持完整。
该芯片广泛应用于各类嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、网络设备以及老式计算机外设中。由于其较高的存储密度和相对较低的成本，它也常被用于图像处理、数据缓冲、网络交换器和打印机等需要临时存储大量数据的设备中。此外，HY57V281620HCT-8 还可作为高速缓存或主存使用，适用于对存储容量和访问速度有一定要求的应用场景。
IS42S16256B-8TL, MT48LC16M2A2B4-6A, KM416S2560CT-8
