容量：16Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　电压：3.3V
　　访问速度：8ns
　　封装：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：SDRAM接口
　　最大时钟频率：166MHz
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　

HY57V281620HCST-8I SDRAM芯片具有多项优异的性能特点。首先，其16Mbit的存储容量和1M x 16的组织结构使其适用于需要较大数据缓存的应用场景，例如图像处理、数据缓冲和高速缓存等。该芯片的工作电压为3.3V，符合低功耗设计趋势，有助于降低系统的整体功耗。
　　此外，HY57V281620HCST-8I的最大时钟频率为166MHz，访问速度为8ns，这使得其数据存取速度非常快，能够满足高速数据传输的需求。该芯片支持突发模式（Burst Mode），可以在单个操作中连续读取或写入多个数据，从而提高数据传输效率。同时，它还具备自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据的完整性，延长数据的存储时间。
　　在封装方面，该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有良好的散热性能和较小的体积，适合高密度电路板设计。其工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），确保了在恶劣环境下的稳定运行。

HY57V281620HCST-8I广泛应用于多种需要高速数据存储和处理的电子设备中。例如，在工业控制领域，它可以作为PLC（可编程逻辑控制器）的数据缓存，用于存储实时采集的数据或程序指令。在通信设备中，该芯片可用于路由器或交换机的数据缓冲，提高数据传输效率和系统响应速度。此外，在嵌入式系统中，如数字电视、机顶盒、视频监控设备等，HY57V281620HCST-8I也常被用作主存储器或图形缓存，以提升设备的运行性能和图像处理能力。
　　该芯片还可用于测试仪器、医疗设备和汽车电子系统等对可靠性要求较高的应用场合。由于其支持工业级温度范围，因此能够在高温或低温环境下保持稳定工作，确保设备的长期可靠运行。

IS42S16100A-6BLI, MT48LC16M16A2B4-6A, CY7C1361BV33-167BZXC