时间：2025/9/2 7:38:20
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HY57V281620HCLT-P 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高速CMOS型DRAM，采用16位数据宽度设计，适用于需要大容量存储和高速访问的应用场合，例如个人电脑、服务器、嵌入式系统等。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较高的可靠性和稳定性。
容量：256Mb
组织结构：16M x16
工作电压：3.3V
数据宽度：16位
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40℃ ~ +85℃）
访问时间：5.4ns
最大工作频率：166MHz
刷新方式：自动刷新/自刷新
工艺技术：CMOS
HY57V281620HCLT-P 具备高速访问能力，适合高性能系统使用。其CMOS工艺确保了低功耗和高稳定性，同时支持自动刷新和自刷新功能，能够在系统待机或低功耗模式下有效保持数据完整性。此外，该芯片采用TSOP封装，减少了封装尺寸，提高了散热性能和抗干扰能力。
在操作上，该DRAM支持异步和同步两种模式，使其适应性更广，尤其适用于需要快速响应和高带宽的应用场景。内部设有地址和数据总线复用机制，有助于减少引脚数量并简化电路设计。此外，该器件具备良好的兼容性，可与其他主流存储控制器无缝连接。
该芯片广泛应用于各种需要大容量高速存储的设备和系统中，例如工业计算机、嵌入式控制系统、网络设备（如路由器、交换机）、视频监控设备、高端消费类电子产品（如游戏机、多媒体播放器）以及工业自动化设备等。由于其工业级温度范围，也适用于一些恶劣环境下的应用场景。
ISSI IS42S16256H-6T、Micron MT48LC16M2A2B4-6A、Alliance AS4LC16M26A
