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HY57V281620HCLT-P 发布时间 时间:2025/9/2 7:38:20 查看 阅读:7

HY57V281620HCLT-P 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高速CMOS型DRAM,采用16位数据宽度设计,适用于需要大容量存储和高速访问的应用场合,例如个人电脑、服务器、嵌入式系统等。其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具有较高的可靠性和稳定性。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x16
  工作电压:3.3V
  数据宽度:16位
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40℃ ~ +85℃)
  访问时间:5.4ns
  最大工作频率:166MHz
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  工艺技术:CMOS

特性

HY57V281620HCLT-P 具备高速访问能力,适合高性能系统使用。其CMOS工艺确保了低功耗和高稳定性,同时支持自动刷新和自刷新功能,能够在系统待机或低功耗模式下有效保持数据完整性。此外,该芯片采用TSOP封装,减少了封装尺寸,提高了散热性能和抗干扰能力。
  在操作上,该DRAM支持异步和同步两种模式,使其适应性更广,尤其适用于需要快速响应和高带宽的应用场景。内部设有地址和数据总线复用机制,有助于减少引脚数量并简化电路设计。此外,该器件具备良好的兼容性,可与其他主流存储控制器无缝连接。

应用

该芯片广泛应用于各种需要大容量高速存储的设备和系统中,例如工业计算机、嵌入式控制系统、网络设备(如路由器、交换机)、视频监控设备、高端消费类电子产品(如游戏机、多媒体播放器)以及工业自动化设备等。由于其工业级温度范围,也适用于一些恶劣环境下的应用场景。

替代型号

ISSI IS42S16256H-6T、Micron MT48LC16M2A2B4-6A、Alliance AS4LC16M26A

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