型号: HY57V281620ESTP-HI
　　容量: 256Mbit
　　组织结构: x16
　　工作电压: 2.3V - 3.6V
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C
　　封装类型: TSOP
　　引脚数量: 54
　　数据速率: 166MHz
　　访问时间: 5.4ns
　　CAS延迟: 3
　　封装尺寸: 18mm x 23mm

HY57V281620ESTP-HI 是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，具有多项显著的技术特性。首先，它的工作电压范围为2.3V至3.6V，这使得该芯片能够在不同的电源条件下稳定运行，适应多种应用场景。其次，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其具有良好的环境适应性，适合在工业级环境中使用。
　　这款SDRAM芯片的数据速率为166MHz，访问时间为5.4ns，能够提供快速的数据读写能力，满足高性能系统的存储需求。同时，它的CAS延迟为3，确保了在高速运行时的数据稳定性。HY57V281620ESTP-HI 采用TSOP封装，共54个引脚，封装尺寸为18mm x 23mm，这种封装形式有助于减少电路板空间占用并提高信号完整性。
　　此外，HY57V281620ESTP-HI 支持突发模式操作，可以提高数据传输效率。突发模式允许连续访问多个内存地址，从而减少访问时间，提高整体性能。该芯片还具备自刷新和待机模式，可以在不使用时降低功耗，延长设备电池寿命或减少热量产生。
　　为了确保数据的完整性和可靠性，HY57V281620ESTP-HI 还集成了多种内部电路，如时钟同步电路和地址/数据缓冲器，这些设计有助于提升芯片在复杂电磁环境下的抗干扰能力和稳定性。

HY57V281620ESTP-HI 主要应用于需要高性能存储的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备以及其他需要高速数据处理能力的电子产品中。由于其具备宽温工作范围和高可靠性，这款SDRAM芯片也非常适合在工业自动化、医疗设备、安防监控系统等对稳定性要求较高的环境中使用。

IS42S16256A-6T, MT48LC16M2A2B4-6A