时间：2025/9/2 6:31:32
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HY57V281620ELTP-HI是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于异步DRAM的一种。该芯片采用16M x16的组织结构，总容量为256MB，适用于需要较高存储容量和快速数据访问的电子设备。HY57V281620ELTP-HI采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适合嵌入到各种嵌入式系统和工业控制设备中。该芯片广泛用于网络设备、工业控制、通信模块等领域。
芯片型号：HY57V281620ELTP-HI
制造商：SK Hynix
存储类型：DRAM
组织结构：16M x16
容量：256MB
封装类型：TSOP
工作电压：3.3V
最大访问时间：5.4ns
最大工作频率：166MHz
数据宽度：16位
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
引脚数量：54-pin
HY57V281620ELTP-HI是一种高性能DRAM芯片，具备高速访问能力，其最大访问时间仅为5.4ns，支持高达166MHz的工作频率，能够满足高速数据交换的需求。该芯片采用低功耗设计，在3.3V的工作电压下运行，不仅提高了能效，还降低了系统散热需求。此外，HY57V281620ELTP-HI具有良好的稳定性和兼容性，能够在工业级温度范围内可靠运行，适用于各种苛刻环境。其TSOP封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局和自动化生产，提高了系统的整体可靠性。
该芯片支持异步模式，允许系统在不严格同步时钟的情况下访问内存，提高了系统的灵活性。同时，HY57V281620ELTP-HI具备自动刷新和自刷新功能，能够在保持数据完整性的同时降低功耗，适用于需要长时间运行的嵌入式系统。此外，该芯片内部集成了多个存储单元，采用了CMOS制造工艺，确保了高速和低功耗的双重优势。
HY57V281620ELTP-HI广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、视频采集与处理设备等。该芯片也常见于嵌入式图像处理、数据采集系统、视频监控设备以及高性能工控主板中。由于其高容量、高速度和低功耗的特性，HY57V281620ELTP-HI非常适合用于需要频繁读写操作的场景，如缓存存储器、图像缓冲区、网络数据包缓存等应用场景。
IS42S16160B-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1380B-SXCT
