制造商：SK Hynix（原现代）
　　产品类型：DRAM
　　存储容量：256K x 16位（4MB）
　　封装类型：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　引脚数量：54引脚
　　电压范围：3.3V
　　最大访问时间：5ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：16位
　　封装尺寸：标准TSOP
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　接口类型：异步

HY57V281620ELT-5 采用CMOS技术，具有较低的功耗和较高的集成度，适合对功耗敏感和空间受限的应用。该芯片支持自动刷新和自刷新两种刷新模式，可以有效保持数据完整性并降低系统功耗。其异步接口设计使得它可以灵活地与各种主控芯片配合使用，而无需严格的时钟同步控制。
　　此外，该器件的高速访问时间为5ns，这意味着它可以快速响应处理器或控制器的读写请求，提升整体系统的运行效率。由于其工业级工作温度范围，HY57V281620ELT-5 能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适用于工业自动化、通信基础设施和嵌入式设备等场景。
　　该芯片的封装形式为TSOP，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于在高密度PCB布局中使用。此外，HY57V281620ELT-5 兼容JEDEC标准，方便用户进行替代和升级。

HY57V281620ELT-5 主要用于需要中等容量高速存储的场合，如工业控制系统、嵌入式设备、通信模块、图像处理设备以及各种需要缓存或临时存储数据的电子设备。此外，由于其低功耗和高稳定性，它也常用于一些对可靠性要求较高的仪器仪表和自动化设备中。

IS61LV25616-5T, CY7C199-55PC, IDT71V124SA55PFG, A61LV0256A-5A