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HY57V281620AT-H 发布时间 时间:2025/9/2 8:41:22 查看 阅读:10

HY57V281620AT-H 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款16位宽、同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该芯片广泛应用于需要较高存储带宽和处理速度的电子设备中,例如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。该SDRAM芯片的容量为256MB,采用54MHz工作频率,支持突发访问模式,能够显著提升数据传输效率。

参数

容量:256MB
  组织结构:16位数据宽度(x16)
  工作频率:54MHz
  电源电压:3.3V
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  内存类型:同步动态随机存取存储器(SDRAM)
  刷新周期:64ms
  数据传输率:5.4ns访问速度
  行列地址线:A0-A12(行地址),A0-A8(列地址)
  封装引脚数:54pin

特性

HY57V281620AT-H 的主要特性之一是其高性能的同步操作模式,这使得它能够在外部时钟信号的控制下高效地进行数据读写操作。此外,该芯片支持突发访问模式(Burst Mode),能够以预设的顺序快速访问连续的数据块,从而显著提高存储系统的吞吐量。芯片还内置了自动刷新和自刷新功能,能够在系统空闲时降低功耗,延长数据保持时间。其16位宽的数据总线进一步提升了数据传输速率,适用于对带宽有较高要求的应用场景。此外,该芯片采用低功耗设计,符合工业级温度要求,确保其在各种复杂环境下的稳定运行。
  这款SDRAM芯片采用了标准的异步控制信号,如片选(CS)、写使能(WE)、行地址选通(RAS)和列地址选通(CAS),便于与多种处理器和控制器进行连接。此外,HY57V281620AT-H 的TSOP封装形式有助于降低寄生电感和电容,提升高频下的电气性能,同时也有利于节省PCB空间,适合高密度电路板设计。在系统设计中,该芯片可以通过并行连接多个SDRAM芯片来扩展存储容量或提升数据宽度,满足不同应用场景的需求。

应用

HY57V281620AT-H 主要应用于需要中等容量存储和较高数据吞吐率的嵌入式系统中,如网络路由器、工业控制系统、数字电视、视频采集设备、打印机和扫描仪等消费类及工业类电子产品。此外,它也可用于手持设备和便携式终端,例如PDA、便携式导航设备(PND)等,用于临时数据缓存和程序运行。由于其工业级温度范围和可靠的性能,该芯片也适用于一些对稳定性和环境适应性要求较高的工业自动化设备。在通信领域,HY57V281620AT-H 常用于网络交换机和通信模块中,用于缓冲数据包和临时存储路由信息。在多媒体应用中,它可用于图像缓存和视频流处理,保障图像数据的快速读写和传输。

替代型号

IS42S16256A-6T, MT48LC16M2A2B4-6A, KM416S1623CM-6

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