存储容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16位
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：6ns
　　封装类型：48-TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：1.5V以上
　　时钟频率：最大166MHz

HY57V281620ALT-6 是一款高性能DRAM芯片，具备出色的读写速度和稳定性。其6ns的访问时间使其适用于对响应时间要求较高的应用场景，如图像处理、实时数据缓冲和嵌入式系统内存扩展。该芯片采用低电压CMOS技术，可以在较低的电压下工作，从而降低整体功耗，适用于便携式设备和对能效敏感的系统。此外，该器件支持自动刷新和自刷新模式，可在不丢失数据的情况下减少功耗，延长电池寿命。其48引脚TSOP封装不仅节省空间，还便于PCB布局和自动化装配。
　　HY57V281620ALT-6 的接口兼容LVTTL电平，使其能够与多种控制器和FPGA、DSP等主控芯片无缝连接。它的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业环境和较为恶劣的使用条件。该芯片的高集成度和稳定性，使其成为通信设备、工业控制、汽车电子和高端消费电子产品中的理想选择。由于其成熟的技术和广泛的应用基础，HY57V281620ALT-6 仍然在市场上保有较高的使用率，尤其是在需要较大缓存但成本控制严格的项目中。

HY57V281620ALT-6 常用于需要高速缓存和大容量内存的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器、交换机、打印机、数码相机、视频采集卡和FPGA开发板等。由于其低功耗特性和紧凑封装，它也适用于便携式电子设备，如手持终端和智能仪表。此外，该芯片在汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载导航系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）。在消费类电子产品中，HY57V281620ALT-6 也常见于多媒体播放器、智能电视和游戏设备中，作为图像和视频数据的临时存储。

IS42S16256A-6BLI，CY7C1041CV33-10ZSXI，MT48LC16M2A2B4-6A