时间：2025/9/1 17:54:20
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HY57V161610ETP-8DR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的16MB SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统和工业设备中。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高性能的特点，适用于各种需要临时数据存储的场景。
容量：16MB
组织方式：1M x 16
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：8ns
时钟频率：166MHz
数据宽度：16位
HY57V161610ETP-8DR具有高速访问时间（8ns）和高频率（166MHz）的特性，能够提供快速的数据传输速率，适合用于需要高带宽的系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗，适合长时间运行的工业设备和嵌入式系统。
此外，它支持自动刷新和自刷新模式，能够在不中断系统运行的情况下保持数据的完整性，减少外部控制器的负担。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能，确保了芯片在高负载下的稳定运行。
这款存储芯片的16位数据宽度使其能够处理大量数据，适合用于需要高数据吞吐量的应用，例如图形处理、图像存储和实时数据缓存。同时，它的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用，如工业自动化、车载电子系统和户外通信设备。
HY57V161610ETP-8DR主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、汽车电子系统以及需要高速存储的消费类电子产品。由于其高速度和低功耗的特性，该芯片也常用于网络设备、视频监控系统以及便携式电子设备的数据缓存解决方案。
IS42S16100E-8BLI, MT48LC16M16A2B4-8A
