您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HY57V161610ET7

HY57V161610ET7 发布时间 时间:2025/9/1 14:28:00 查看 阅读:23

HY57V161610ET7 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别。这款芯片的容量为256MB,采用16位数据宽度,适用于需要高速数据存取的电子设备。该芯片通常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及其他需要高可靠性和高性能存储的场合。

参数

容量:256MB
  数据宽度:16位
  封装类型:TSOP
  工作电压:3.3V
  时钟频率:166MHz
  存取时间:5.4ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  引脚数:54

特性

HY57V161610ET7 的设计使其在高速数据处理应用中表现出色。该芯片的166MHz时钟频率支持快速的数据传输,适用于需要实时数据处理的系统。其16位数据宽度允许同时传输更多数据,提高整体系统性能。此外,该芯片采用TSOP封装技术,具有较低的功耗和较高的可靠性,适用于长期运行的工业设备和通信设备。
  该芯片的另一个显著特点是其支持同步操作,这意味着其操作与时钟信号同步,确保数据传输的准确性和稳定性。其5.4ns的存取时间意味着数据可以在极短的时间内被读取或写入,满足对响应速度要求较高的应用场景。此外,工作电压为3.3V,使得该芯片在提供高性能的同时保持较低的能耗,适合对功耗敏感的设计。
  HY57V161610ET7 还具有宽温度范围的工作能力,可以在-40°C至+85°C的环境下稳定运行,适合在恶劣环境中使用的设备,例如工业自动化设备、户外通信设备等。

应用

HY57V161610ET7 被广泛应用于需要高性能存储的多种电子设备中。常见应用包括工业控制系统、嵌入式系统、路由器、交换机、视频采集设备以及智能卡读写器等。其高速数据传输能力和较低的功耗使其成为对性能和可靠性有较高要求的设备的理想选择。此外,该芯片也适用于需要长时间运行且环境条件较为苛刻的场景,如工业生产线控制、远程通信设备以及监控系统等。

替代型号

IS42S16160B-6T、K4S641632E-TC75、MT48LC16M2A2B4-6A

HY57V161610ET7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价