时间：2025/9/2 6:01:01
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HY57V161610ET是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别。该芯片的型号表明其存储容量为16M x 16位，总共256MB的存储空间。这款DRAM芯片广泛应用于计算机主板、嵌入式系统、工业设备和消费电子产品中，用于临时存储CPU需要快速访问的数据。
类型: SDRAM
容量: 256MB
组织结构: 16M x 16位
工作电压: 3.3V
时钟频率: 166MHz
数据速率: 166MHz
数据宽度: 16位
封装类型: TSOP
引脚数: 54
工作温度范围: 工业级（-40°C至+85°C）
HY57V161610ET具备标准SDRAM架构，支持突发模式访问，提高数据传输效率。
其同步接口允许与时钟信号同步操作，从而优化系统性能。
该芯片采用低功耗设计，适合需要长时间运行的应用场景。
TSOP封装形式有助于提高散热性能和空间利用率。
适用于多种嵌入式系统和工业控制设备，提供稳定可靠的数据存储支持。
支持标准的SDRAM控制器接口，兼容性强，易于集成到现有系统中。
具有自刷新（Self-Refresh）功能，可在低功耗模式下保持数据完整性。
HY57V161610ET常用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、通信模块、视频采集与处理设备以及老款PC主板和工控主板中。
此外，它也适用于一些需要较高数据处理能力但对成本敏感的设计中，如数字电视、机顶盒和安防监控设备等消费类电子产品。
由于其工业级温度范围，该芯片也适合在恶劣环境条件下工作的系统中使用。
IS42S16160B-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, KM416S1612CT
