HY57V161610ET是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别。该芯片的型号表明其存储容量为16M x 16位,总共256MB的存储空间。这款DRAM芯片广泛应用于计算机主板、嵌入式系统、工业设备和消费电子产品中,用于临时存储CPU需要快速访问的数据。
类型: SDRAM
容量: 256MB
组织结构: 16M x 16位
工作电压: 3.3V
时钟频率: 166MHz
数据速率: 166MHz
数据宽度: 16位
封装类型: TSOP
引脚数: 54
工作温度范围: 工业级(-40°C至+85°C)
HY57V161610ET具备标准SDRAM架构,支持突发模式访问,提高数据传输效率。
其同步接口允许与时钟信号同步操作,从而优化系统性能。
该芯片采用低功耗设计,适合需要长时间运行的应用场景。
TSOP封装形式有助于提高散热性能和空间利用率。
适用于多种嵌入式系统和工业控制设备,提供稳定可靠的数据存储支持。
支持标准的SDRAM控制器接口,兼容性强,易于集成到现有系统中。
具有自刷新(Self-Refresh)功能,可在低功耗模式下保持数据完整性。
HY57V161610ET常用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、通信模块、视频采集与处理设备以及老款PC主板和工控主板中。
此外,它也适用于一些需要较高数据处理能力但对成本敏感的设计中,如数字电视、机顶盒和安防监控设备等消费类电子产品。
由于其工业级温度范围,该芯片也适合在恶劣环境条件下工作的系统中使用。
IS42S16160B-6T, MT48LC16M16A2B4-6A, KM416S1612CT