时间：2025/9/1 16:07:07
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HY57V161610DTC-55是由现代（Hyundai）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具备高速读写性能和低功耗特性，适用于需要大容量内存和高性能处理的电子设备。这款DRAM芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的封装尺寸，便于集成到紧凑型电路板中。其主要功能是作为主存储器，为嵌入式系统、工业控制设备、计算机外围设备等提供高速数据存储与访问能力。
容量：256Mbit
组织结构：16M x 16
电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
时钟频率：166MHz
访问时间：5.5ns
数据输出类型：三态
存储器类型：DRAM
刷新周期：64ms
HY57V161610DTC-55是一款高性能DRAM存储器，具有较高的存储密度和快速的数据访问能力。其16M x 16的组织结构使得该芯片能够在16位数据总线上实现高效的数据传输，适用于需要大量数据处理和快速响应的系统。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具备较强的电源适应能力，适用于多种电源环境。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在各种恶劣环境条件下稳定运行，适合工业级应用。
该芯片的TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，同时降低了封装高度，适用于对尺寸要求较高的应用。其高速访问时间为5.5ns，支持高达166MHz的时钟频率，可满足对数据传输速率要求较高的系统需求。HY57V161610DTC-55还具备标准的DRAM功能，如自动刷新、自刷新和突发模式等，有助于降低功耗并提高系统的稳定性。此外，该芯片具备三态输出，支持高阻抗状态，便于在多设备共享总线的系统中进行数据隔离和管理。
HY57V161610DTC-55广泛应用于需要大容量高速存储器的电子系统中。典型应用包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信设备、视频处理设备、图像采集系统以及数据采集与处理设备等。由于其具备较高的数据传输速率和较大的存储容量，该芯片特别适合用于图像缓冲、帧缓存、高速缓存存储等应用场景。此外，其宽温工作范围和较强的抗干扰能力也使其适用于户外设备、车载电子系统、智能监控设备等严苛环境下的应用。
IS42S16160D-55BLI, CY7C1370B, MT48LC16M2A2B4-55A
