时间：2025/9/1 16:32:29
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HY57V161610D-TC-8 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，广泛用于需要较高数据处理速度的电子设备中，例如计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备和网络设备等。其主要功能是作为临时数据存储器，在设备运行过程中提供快速的数据读写能力。
类型：DRAM（SDRAM）
容量：256MB
数据宽度：16位
速度等级：-8（对应时钟频率为166MHz，访问时间约为5.4ns）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作电压：3.3V
组织结构：16M x 16 x 4 banks
刷新周期：64ms
工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
HY57V161610D-TC-8 是一款高性能的同步动态存储器芯片，具备较低的延迟和较高的数据传输速率，适用于需要快速数据处理的场景。其166MHz的时钟频率能够支持高速的数据存取操作，使得系统整体性能得以提升。
该芯片采用TSOP封装形式，具有良好的散热性能和较小的体积，适合在空间受限的应用中使用。同时，其工作电压为3.3V，能够在保证性能的同时降低功耗，提高系统的稳定性。
内部结构上，该芯片采用16M x 16 x 4 banks的组织方式，支持同时访问多个存储块，从而提高内存的并发处理能力。此外，64ms的刷新周期确保了数据在断电前能够被有效保存，避免数据丢失。
该芯片还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不同的工作模式下自动调整刷新策略，进一步降低功耗并延长设备的电池寿命。
HY57V161610D-TC-8 通常用于需要中等容量存储且对速度有一定要求的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器、交换机、数字电视、机顶盒、打印机以及其他需要高速缓存的电子设备。此外，它也常被用作图形加速卡、测试仪器和通信设备的缓存存储器。
IS42S16160B-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1371B-SX45、K4S641632E-TC75
