HY51V65164ASLTC-60是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于需要高性能存储的电子设备中。该芯片具有较高的存储容量和较快的访问速度,适用于多种应用场景。
容量:64MB
组织结构:16M x 4
电压:3.3V
封装类型:TSOP
时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
HY51V65164ASLTC-60具有低功耗特性,适合电池供电设备使用。其高速访问能力使其在需要快速数据处理的应用中表现出色。此外,该芯片采用了TSOP封装,具有较好的散热性能和可靠性。工业级的工作温度范围使其能够在恶劣的环境条件下正常工作。
该芯片广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品中,如路由器、交换机、数字电视、机顶盒等。
HY57V641620BCTC-60