HY51V18160CTC-60是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于EDO DRAM类型。该型号的封装形式为TSOP,容量为1MB(128K x 8),适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片具有较低的功耗和较高的可靠性,适用于各种中高端应用。
容量:1MB (128K x 8)
类型:DRAM
封装类型:TSOP
工作电压:3.3V
访问时间:60ns
接口类型:并行
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据宽度:8位
引脚数量:54
HY51V18160CTC-60是一款高性能、低功耗的EDO DRAM芯片,广泛用于需要快速数据存取的嵌入式系统中。EDO(Extended Data Out)技术使得在读取下一个数据之前不需要等待前一个数据完全释放,从而提高了数据传输效率。该芯片的访问时间为60ns,能够满足大多数中高速系统的性能要求。
此外,HY51V18160CTC-60采用3.3V供电,降低了功耗和发热量,提高了系统的稳定性。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并便于自动化生产装配。工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于恶劣环境下的工业控制系统、网络设备和通信模块。
该芯片还具有较高的可靠性和耐用性,适合长时间运行的工业设备和嵌入式平台使用。同时,HY51V18160CTC-60的并行接口设计支持高速数据传输,适用于需要快速响应的存储应用。
HY51V18160CTC-60常用于工业控制设备、嵌入式系统、通信设备、网络路由器、视频游戏机和消费类电子产品中。其高速存取能力和低功耗特性使其成为许多中高端应用的理想选择。
HY51V18160CTC-60可以用其他类似的1MB EDO DRAM芯片替代,如MT51V18160A-60A或HY51V18160CTC-60B4。