时间：2025/9/1 13:32:30
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HY51V18160CTC-60是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于EDO DRAM类型。该型号的封装形式为TSOP，容量为1MB（128K x 8），适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片具有较低的功耗和较高的可靠性，适用于各种中高端应用。
容量：1MB (128K x 8)
类型：DRAM
封装类型：TSOP
工作电压：3.3V
访问时间：60ns
接口类型：并行
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：8位
引脚数量：54
HY51V18160CTC-60是一款高性能、低功耗的EDO DRAM芯片，广泛用于需要快速数据存取的嵌入式系统中。EDO（Extended Data Out）技术使得在读取下一个数据之前不需要等待前一个数据完全释放，从而提高了数据传输效率。该芯片的访问时间为60ns，能够满足大多数中高速系统的性能要求。
此外，HY51V18160CTC-60采用3.3V供电，降低了功耗和发热量，提高了系统的稳定性。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，并便于自动化生产装配。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于恶劣环境下的工业控制系统、网络设备和通信模块。
该芯片还具有较高的可靠性和耐用性，适合长时间运行的工业设备和嵌入式平台使用。同时，HY51V18160CTC-60的并行接口设计支持高速数据传输，适用于需要快速响应的存储应用。
HY51V18160CTC-60常用于工业控制设备、嵌入式系统、通信设备、网络路由器、视频游戏机和消费类电子产品中。其高速存取能力和低功耗特性使其成为许多中高端应用的理想选择。
HY51V18160CTC-60可以用其他类似的1MB EDO DRAM芯片替代，如MT51V18160A-60A或HY51V18160CTC-60B4。
