存储容量：1MB（256K x 4 x 8位）
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：60ns
　　封装类型：54引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行接口
　　时钟频率：最大166MHz
　　数据宽度：16位
　　封装尺寸：54-TSOP
　　JEDEC标准：符合JEDEC标准

HY51V18160CSLTC-60 是一款高性能的EDO DRAM芯片，具备较低的访问延迟和较高的数据传输效率。与传统的FPM（Fast Page Mode） DRAM相比，EDO DRAM可以在数据读取过程中重叠地址访问，从而减少总线空闲时间，提高系统性能。该芯片的工作电压为3.3V，降低了功耗，同时保证了稳定性。其54引脚TSOP封装形式具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度电路板设计。此外，HY51V18160CSLTC-60支持高速时钟频率，最大可达166MHz，适用于对数据吞吐量有较高要求的应用场景。该芯片的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣环境下稳定运行，增强了设备的可靠性和适应性。
　　该器件还具备良好的兼容性，能够与多种控制器和主控芯片配合使用，简化了系统设计流程。此外，HY51V18160CSLTC-60支持标准的并行接口协议，便于集成到现有硬件平台中。对于需要较高存储带宽但不追求同步DRAM（如SDRAM）复杂性的系统，该芯片提供了一种经济高效的解决方案。

HY51V18160CSLTC-60主要应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、医疗设备、测试仪器以及老款嵌入式系统。由于其高性能EDO架构和低功耗设计，该芯片适用于需要中等容量快速存取存储的场合。例如，在通信系统中，它可作为缓存用于数据交换和协议处理；在工业控制设备中，用于实时数据存储和处理；在测试仪器中，用于临时数据缓冲和高速采样。此外，该芯片也常用于需要稳定性和可靠性的嵌入式系统设计中，如自动化控制系统和数据采集系统。

IS42S18160B-60MLI、CY7C18160KV-60B