时间：2025/9/1 14:49:25
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HY51C4256S-12是一款由Hynix（现为SK Hynix）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高集成度和高性能的特点。该DRAM芯片的容量为256K x 4位，工作频率为12ns，适用于各种需要高速数据存储和访问的应用场景。
容量：256K x 4位
数据宽度：4位
工作电压：5V
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：28
时钟频率：83MHz（对应访问时间12ns）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：12ns
刷新方式：自动刷新/自刷新
接口类型：异步DRAM接口
HY51C4256S-12采用CMOS技术制造，具有较低的功耗，同时在高速操作下依然保持稳定性。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不中断系统运行的情况下完成内存刷新，减少数据丢失的风险。
其异步接口设计使得该芯片能够与多种主控芯片兼容，适用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费电子产品等应用领域。此外，该芯片的封装形式为SOJ，具有较好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
在性能方面，HY51C4256S-12的工作频率为83MHz，访问时间为12ns，能够满足中高速存储应用的需求。其工业级温度范围也使其适用于较为严苛的环境条件。
HY51C4256S-12广泛应用于各种需要中等容量高速存储的电子设备中。例如，它可用于嵌入式系统的临时数据存储、工业控制设备中的缓存、视频采集和显示设备中的帧缓存、网络通信设备中的数据缓冲等。此外，该芯片也可用于消费类电子产品如数码相机、便携式音频设备和游戏机等，提供稳定可靠的数据存储支持。
ISSI的IS42S16256A-12, Winbond的W98C26DH-12, Alliance的AS4C256K4-12
