时间：2025/9/1 13:27:20
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HY514264BTC-50是一种高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，由Hynix（现为SK Hynix）制造。该芯片的容量为16MB，组织结构为1M x 16，属于EDO DRAM类型，广泛应用于早期的计算机系统和嵌入式设备中。这款存储器以其稳定性和可靠性著称，在其发布时期被广泛用于主板、图形卡和其他需要高速存储访问的电子设备中。
容量：16MB
组织结构：1M x 16
电源电压：3.3V
工作温度范围：0°C 至 70°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
最大访问时间：5.4ns
工作模式：EDO DRAM
时钟频率：166MHz
HY514264BTC-50具有高速数据访问能力，存取时间低至5.4ns，使其适用于需要快速数据处理的系统。该芯片采用先进的CMOS技术制造，以降低功耗并提高整体能效。此外，其TSOP封装形式有助于减少电路板空间占用，同时提高封装密度和机械稳定性。这种DRAM芯片支持标准的异步控制信号，使其能够轻松集成到各种系统架构中。由于其低延迟特性，EDO DRAM在当时成为FPM DRAM的升级替代品，适用于需要高性能存储子系统的应用。
HY514264BTC-50主要应用于早期的个人计算机（如PC内存模块）、图形加速卡、工业控制系统和嵌入式设备中。由于其高速存取特性，它也适用于需要快速缓存或临时存储数据的场景，如视频存储器和系统缓存。此外，该芯片在一些通信设备和测试仪器中也有应用，尤其是在需要较高数据吞吐量但对功耗有一定限制的场合。
HY514264BTC-50S, KM416S1630BT-50, CY7C1364BV-50
