容量：256K x 16位
　　电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　访问时间：60ns
　　工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：2V（最小）
　　时钟频率：最大166MHz（等效访问时间60ns）
　　引脚数量：54

HY514264BSLTC-60 是一款高性能的EDO DRAM芯片，具备出色的存取速度和较低的功耗。EDO（Extended Data Out）技术允许在下一个地址访问之前保持数据输出有效，从而提高了数据传输效率。该芯片支持高速数据读取，访问时间为60ns，适用于对响应速度有较高要求的系统。此外，该芯片采用5V电源供电，兼容多种系统设计，确保了稳定性和可靠性。HY514264BSLTC-60 还具备良好的数据保持能力，在电源电压下降到2V时仍能维持数据不丢失，适用于需要长期运行的设备。其TSOP封装设计减小了体积，提高了散热性能，适用于空间受限的电子设备。同时，该芯片的工作温度范围较广，能够在工业级温度范围内稳定运行，适应各种严苛的环境条件。
　　该芯片的另一大特点是其广泛的应用兼容性。HY514264BSLTC-60 可用于早期的个人计算机、嵌入式控制系统、工业自动化设备和通信设备。其高速存取能力和低功耗设计使其在不需要刷新电路频繁干预的系统中表现出色。此外，该芯片的电气特性和封装形式使其能够轻松集成到现有的电路设计中，降低了系统开发的复杂度。

HY514264BSLTC-60 主要应用于需要高速数据存取的系统中，如早期的个人计算机（PC）主板、嵌入式控制设备、工业自动化控制系统、通信设备和便携式电子产品。该芯片的EDO技术使其在需要快速数据访问的场合表现优异，例如图形加速卡、数据缓冲存储器和高速缓存系统。此外，由于其良好的温度适应性和稳定性，HY514264BSLTC-60 也常用于工业控制设备和通信基础设施中，如交换机、路由器和测试仪器。该芯片的低功耗设计和TSOP封装也使其适用于对功耗和空间有严格要求的便携式设备，例如手持终端和嵌入式数据采集系统。

MT51V256A2B4-6A, KM681000BJ-60, CY7C1021B-12VC