时间：2025/9/1 13:31:18
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HY514260BJC-80是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于EDO DRAM类型。该型号的存储容量为16MB，数据宽度为16位，采用5V电源供电，适用于需要较高数据访问速度的系统。EDO DRAM技术相较于传统的DRAM在数据读取时具有更高的效率，因为其能够在不等待前一个数据操作完成的情况下开始下一次数据访问。
容量：16MB
数据宽度：16位
电源电压：5V
访问时间：80ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：0°C至70°C
引脚数：50
接口类型：并行
HY514260BJC-80的核心特性之一是其80ns的访问时间，这使其适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用EDO（Extended Data Out）技术，能够显著减少数据访问延迟，提高系统性能。其TSOP封装形式具有较小的物理尺寸和良好的电气性能，适合在空间受限的电路板上使用。
该DRAM芯片支持标准的并行接口，方便与多种主控芯片进行连接。此外，其5V电源供电设计使其兼容早期的电源管理系统，并能够在较宽的电压范围内稳定工作。工作温度范围为0°C至70°C，适用于工业级环境下的运行。
由于其16MB的存储容量和16位的数据宽度，该芯片常用于中等规模的嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机扩展内存模块中。该芯片在数据保持和突发访问方面表现出色，具备较高的可靠性和稳定性。
HY514260BJC-80广泛应用于需要高性能DRAM存储的工业控制设备、嵌入式系统、老式个人计算机内存模块（如SIMM或DIMM）、网络设备以及图像处理设备。其EDO技术特性使其特别适合用于需要连续数据流处理的场景，如视频缓冲、图形加速和数据缓存等应用。此外，该芯片也可用于工业自动化设备中的数据存储和实时数据处理任务。
IS42S16400B-80, KM416S1630CT-80
