类型：DRAM
　　容量：256K x 16 位（即256千字，每个字16位）
　　电压：5V
　　封装：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：54
　　访问时间：60ns（纳秒）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：异步
　　数据输入/输出模式：公共I/O（共用输入输出引脚）

HY514260B-JC-60 是一款性能稳定的DRAM芯片，具有较高的存储密度和较低的功耗。其异步操作特性使其在不依赖系统时钟的情况下进行数据读写，提高了灵活性。该芯片的60ns访问时间适用于中高速存储应用，能够在多种系统架构中提供可靠的性能表现。此外，TSOP封装设计有助于减少PCB（印刷电路板）上的空间占用，并改善热管理和信号完整性。该芯片还具有较强的抗干扰能力和良好的兼容性，能够与多种控制器和系统平台协同工作。
　　HY514260B-JC-60 的异步DRAM结构支持页模式访问，允许连续读写操作以提高数据吞吐率。其54引脚TSOP封装提供了良好的电气性能和机械稳定性，适用于需要长期运行和稳定性的工业设备。该芯片的5V电源供应使其兼容于许多传统系统设计，同时也便于与老一代处理器和外围设备集成。
　　在可靠性方面，HY514260B-JC-60 通过了严格的工业级温度测试，可在恶劣环境下稳定运行。其内部刷新机制确保了数据的长期保持，而无需外部控制器频繁干预。这些特性使得该芯片在通信设备、工业控制、测试仪器和嵌入式系统中具有广泛的应用潜力。

HY514260B-JC-60 主要应用于需要中等容量高速存储的电子系统中。典型应用包括但不限于工业控制设备、测试与测量仪器、通信基础设施、嵌入式系统以及老一代计算机外围设备。由于其异步操作特性和较高的访问速度，它非常适合用于需要快速数据缓冲或临时存储的场景，例如图像处理、数据缓存、实时控制等应用领域。此外，该芯片也适用于那些需要与传统处理器或控制器接口的系统设计。

IS61LV25616-60BLLI、CY62148EVLL-55BZE3、IDT71V124SA60BGI、A621620C-60DI、HY514260A-JC-60