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HY5118160JC-70 发布时间 时间:2025/9/1 22:54:26 查看 阅读:22

HY5118160JC-70是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于早期的DRAM产品系列,主要用于嵌入式系统、工业控制设备以及老旧的计算机外设中。HY5118160JC-70具有1M x 16位的存储容量,采用快速页面模式(Fast Page Mode)工作,适用于需要中等存储容量和中等访问速度的应用场景。该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具有较好的稳定性和兼容性。

参数

容量:1M x 16位
  组织方式:16Mbit
  访问时间:70ns
  工作电压:5V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  刷新方式:自动刷新
  时钟频率:异步模式

特性

HY5118160JC-70采用了先进的CMOS制造工艺,具备低功耗与高可靠性的特点。该芯片支持快速页面模式,使得在连续读写操作中可以显著减少访问延迟,提高整体性能。其异步控制接口设计简化了与外部控制器的连接,适用于多种嵌入式系统和传统主板设计。此外,HY5118160JC-70的54引脚TSOP封装不仅节省空间,还增强了散热性能,确保在高负荷工作条件下仍能保持稳定运行。
  在数据保持方面,该DRAM芯片通过周期性的刷新操作来维持存储数据的完整性。它支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,用户可以根据具体应用需求选择合适的刷新策略以平衡功耗与性能。由于其稳定的设计和广泛兼容性,HY5118160JC-70曾被广泛应用于工业控制、通信设备以及老式PC主板等场合。

应用

HY5118160JC-70主要用于需要中等容量RAM的嵌入式系统,如工业控制设备、通信模块、测试仪器以及老旧的个人计算机外设。由于其异步接口和标准封装,该芯片也适用于需要扩展内存的系统设计。此外,该芯片还可用于一些特定的工控主板和老式服务器模块中,作为临时数据缓存或程序存储器。

替代型号

IS61LV102416-70B4I,CY7C1021B-70ZS,A6116A-70DC

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