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HY5118160CJC-80 发布时间 时间:2025/9/1 23:02:58 查看 阅读:10

HY5118160CJC-80 是由现代电子(Hyundai Electronics,现为SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS技术制造,具有高速、低功耗的特点,广泛应用于需要快速数据访问的电子设备中。该型号的封装形式通常为TSOP(薄型小外形封装),适合嵌入式系统、工业控制设备、网络设备等应用场景。

参数

容量:256K x 16位
  电压:3.3V
  访问时间:80ns
  封装:TSOP-II
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  封装尺寸:54引脚
  接口类型:并行接口
  最大工作频率:约12MHz

特性

HY5118160CJC-80 是一款高性能的SRAM芯片,具备低功耗和高速访问能力。其工作电压为3.3V,适合现代低功耗电子设备的需求。访问时间为80ns,使得该芯片能够在高速数据处理环境中稳定运行。其TSOP-II封装形式不仅减小了芯片的体积,也提高了电路板的布线效率。芯片的工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数工业和商业应用环境。此外,其并行接口设计允许与多种处理器和控制器直接连接,简化了系统设计的复杂度。由于其稳定性和可靠性,HY5118160CJC-80被广泛应用于路由器、交换机、通信模块、嵌入式系统和工业控制设备中。该芯片还具有较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持数据的完整性。同时,其CMOS制造工艺也进一步降低了静态功耗,延长了设备的使用寿命。

应用

HY5118160CJC-80 主要用于需要高速存储器的系统中,如网络设备(路由器和交换机)、嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、测试设备以及数据采集系统等。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片也非常适合用作缓存存储器或临时数据存储单元。

替代型号

CY62148EVLL-80ZE3, IS61LV25616-80BLLI, A2B514A

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