时间：2025/9/1 13:25:57
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HY5117400BT-60 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高速CMOS存储器，适用于需要大容量内存和高性能数据处理的应用场景。HY5117400BT-60 采用TSOP（薄型小外形封装）封装，容量为4MB，工作频率可达166MHz，主要面向工业控制、网络设备、嵌入式系统等领域。该芯片的命名中，HY代表Hynix品牌，5117400表示其存储容量和结构，BT表示封装类型，60表示存取速度（以ns或MHz为单位）。
容量：4M x 16位
类型：DRAM
封装类型：TSOP
工作电压：3.3V
最大存取时间：60ns
工作频率：166MHz
数据宽度：16位
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：异步DRAM接口
引脚数：54
HY5117400BT-60 是一款高性能的DRAM芯片，具有较高的数据传输速率和稳定的运行表现。其60ns的存取时间和166MHz的工作频率使其适用于对速度要求较高的应用。该芯片采用低功耗CMOS技术，在保证性能的同时降低了能耗，适用于嵌入式系统和工业控制设备。TSOP封装方式不仅提高了封装密度，还改善了散热性能，增强了芯片在复杂环境下的稳定性。
此外，HY5117400BT-60 具备宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在各种工业环境中使用。16位的数据宽度提供了较高的数据吞吐能力，适用于需要高速缓存和大容量内存的系统。其3.3V的工作电压降低了对电源管理的要求，提高了系统的兼容性和稳定性。由于其异步DRAM接口设计，该芯片可以方便地与多种处理器和控制器配合使用，简化了系统设计。
HY5117400BT-60 广泛应用于需要大容量内存和高速数据处理的设备中。其主要应用领域包括工业控制设备、网络交换机、路由器、嵌入式系统、视频处理设备、测试仪器以及各种需要高速缓存的电子系统。由于其高稳定性和低功耗特性，该芯片也适用于长时间运行的自动化控制设备和通信基础设施。
HY5117400AT-60, CY7C1041B-10ZSXC, IS61LV25616-10B4B
