时间：2025/9/2 7:13:58
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HY50U561622ETP-4 是Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度存储器件，广泛用于需要高速数据存取的电子设备中。HY50U561622ETP-4 是一款常见的工业级存储器，适用于多种电子系统，包括嵌入式系统、计算机主板、工业控制设备和网络设备等。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备高可靠性和稳定性，适用于各种严苛的工作环境。
容量：512MB
组织方式：16M x 32
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HY50U561622ETP-4 是一款高性能的DRAM存储器，具有512MB的存储容量，适用于需要较大内存空间的应用场景。其16M x 32的组织方式使其能够提供高速的数据访问能力，支持快速读写操作，适用于对数据处理速度要求较高的系统。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在多种电源环境下稳定运行，适用于不同类型的电子设备。其TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，还提高了封装的可靠性，适用于空间受限的应用场景。
此外，HY50U561622ETP-4 支持标准的DRAM控制信号，如RAS（行地址选通）、CAS（列地址选通）和WE（写使能），使其能够方便地集成到各种存储器系统中。该芯片的64ms刷新周期确保了数据的稳定性和可靠性，能够在长时间运行的系统中保持数据的完整性。
其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业级和车载级应用，能够在极端温度条件下稳定运行。
HY50U561622ETP-4 广泛应用于嵌入式系统、计算机主板、工业控制设备、网络设备、通信设备以及消费类电子产品中。由于其高容量和高速数据存取能力，它特别适用于需要大内存支持的应用场景，如图像处理、数据缓存、视频存储等。
HY50U561622ETP-4 可以被 H57V561640HTR-BCB 或 K4S561632K-TC10 等型号替代。
