时间：2025/9/2 4:55:01
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HY4504B6是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于计算机系统、服务器、嵌入式设备等领域。这款存储器芯片具有较高的数据存储容量和访问速度，适用于需要大量数据缓存和快速访问的场景。HY4504B66的具体参数包括存储容量、工作频率、电压要求、封装形式等，这些参数决定了其在不同系统中的兼容性和性能表现。作为一款经典的DRAM芯片，HY4504B6在当时的电子设备中扮演了重要角色，尤其是在个人电脑和早期服务器中。
存储类型：DRAM
存储容量：4MB
组织结构：x4
工作电压：5V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：0°C 至 70°C
HY4504B6是一款采用CMOS工艺制造的DRAM芯片，具有低功耗和高稳定性的特点。其5.4ns的访问时间使其能够在高频环境下稳定运行，适用于对性能要求较高的系统。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，体积小巧，便于在紧凑的电路板上安装和使用。此外，HY4504B6的工作电压为5V，符合当时大多数电子设备的标准电源供应，确保了其在多种系统中的兼容性。
该芯片的存储容量为4MB，组织结构为x4，意味着每个存储单元可以同时传输4位数据。这种设计提高了数据传输的效率，适用于需要高速数据处理的应用场景。HY4504B6的工作温度范围为0°C至70°C，适合在大多数工业和商业环境中使用，具备良好的环境适应性。
从制造工艺来看，HY4504B6采用了先进的DRAM技术，确保了其在高密度存储和快速访问方面的优势。同时，该芯片的设计也注重可靠性，能够在长时间运行的情况下保持稳定的数据存储和读写性能。这些特性使得HY4504B6成为当时许多高性能计算和存储系统中的关键组件。
HY4504B6主要用于个人计算机、服务器、图形加速器、工业控制设备以及其他需要高速数据存储和访问的电子系统中。由于其高性能和稳定性，该芯片也常被用于嵌入式系统和网络设备中，以支持高效的数据处理和存储需求。
HY57V641620B6-TC、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632H-TC
