容量：8Mbit (1M x8/512K x16)
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：56-TSOP
　　接口类型：并行接口
　　擦写次数：10万次
　　数据保持时间：10年

HY29F800TT-55 NOR Flash芯片具有多项显著的性能特点。首先，其55ns的访问时间确保了快速的读取速度，能够满足高性能嵌入式系统的需求。该芯片支持x8和x16两种数据宽度模式，提供灵活的系统设计选项。在电源管理方面，该芯片支持低功耗待机模式，在未使用时可显著降低功耗，非常适合便携式设备和低功耗应用场景。此外，该芯片支持块擦除和字节编程功能，允许用户精确地更新或修改存储内容，而不影响其他数据区域。其10万次擦写寿命和10年数据保持能力也确保了长期使用的可靠性，减少了存储单元的磨损问题。芯片内置的命令寄存器和状态寄存器提供了对操作状态的实时反馈，便于系统监控和错误检测。
　　另外，HY29F800TT-55 的TSOP封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在高密度PCB设计中使用。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。这些特性共同使得HY29F800TT-55 成为一种可靠、高效的非易失性存储解决方案，广泛用于需要快速读取、代码存储和频繁更新的嵌入式系统中。

HY29F800TT-55 主要应用于需要非易失性存储和快速读取性能的嵌入式系统中。其典型应用包括工业控制设备、汽车电子系统、网络通信设备、消费类电子产品（如数码相机、手持设备）以及智能卡终端等。由于其支持x8/x16模式和低功耗特性，它也常用于便携式医疗设备、POS终端和数据采集设备中。此外，该芯片还可用于固件存储、BIOS存储以及嵌入式系统的启动代码存储，确保设备在断电后仍能保留关键数据和程序。

S29GL064S11TFI03, AM29LV800BT-55WEI, M58LV800T4B60NP3E, HY29F160BE-55