容量: 4Mbit (512KB)
　　组织结构: NOR Flash
　　供电电压: 3.3V 或 5V
　　访问时间: 12ns
　　封装类型: TSOP
　　工作温度范围: 工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　接口类型: 并行接口
　　擦写电压: 内置高压电路，无需额外电源
　　擦写周期: 10,000 次以上
　　数据保持时间: 10年以上

HY29F400TT-12具有多项显著的性能特点，首先是其高速访问时间，仅为12ns，使得该芯片能够满足高速数据存取的应用需求。此外，该芯片支持低功耗模式，在待机状态下功耗极低，非常适合对功耗敏感的应用场景。作为一款NOR型Flash存储器，HY29F400TT-12支持随机访问，这意味着它可以直接在Flash上执行代码（Execute In Place, XIP），而无需将代码加载到RAM中，从而减少了系统复杂性和成本。其内置的高压电路使得芯片只需要单一电源即可完成擦除和编程操作，简化了系统设计。HY29F400TT-12还具备高可靠性和耐用性，可支持超过10,000次的擦写周期，并且数据保持时间长达10年以上。该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和较小的体积，适合高密度电路板设计。
　　此外，HY29F400TT-12具备多种保护机制，包括软件和硬件写保护功能，可以防止意外擦除或写入操作，从而提高系统的稳定性。它还支持自动擦除和编程操作，提高了操作的便利性和效率。对于需要频繁更新数据或固件的应用场景，这款芯片是一个理想的选择。

HY29F400TT-12广泛应用于各种嵌入式系统中，特别是在需要非易失性存储器来存储固件或关键数据的场合。例如，在工业控制系统中，该芯片可用于存储控制程序和配置数据；在通信设备中，可用于存储固件和日志信息；在消费电子产品中，如数码相机、便携式媒体播放器和智能家电中，HY29F400TT-12可用于存储操作系统和应用程序。此外，由于其高速访问和低功耗特性，该芯片也常用于需要实时执行代码的场景，如车载电子系统和智能卡终端设备。

AM29F400BT-12, MX29F400ECT-12, S29AL004D-12