HY29F400BT90是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的4Mbit(512KB)闪存芯片,属于并行Flash存储器类别。该芯片采用NOR型闪存技术,支持快速的随机访问,适用于需要代码存储和执行的应用场景。HY29F400BT90具有高性能和低功耗的特点,广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及消费电子产品中。
容量:4Mbit(512KB)
组织结构:512K x 8位
电压范围:2.7V至3.6V
访问时间:90ns
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:48
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
读取电流:典型值为10mA(在90MHz下)
待机电流:最大为10μA
编程/擦除电压:内部电荷泵生成
HY29F400BT90采用NOR闪存技术,具备快速的随机读取性能,适合直接执行代码的应用。其90ns的访问时间确保了与高速处理器的良好兼容性。
该芯片支持页模式读取,可以提高连续数据访问的速度,增强系统性能。
在电源管理方面,HY29F400BT90提供低功耗待机模式,适合对功耗敏感的应用场景。
其TSOP封装设计有助于节省PCB空间,并具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业环境。
此外,HY29F400BT90具备较高的擦写耐久性,支持10万次以上的编程/擦除周期,延长了产品的使用寿命。
该芯片还集成了硬件写保护功能,防止意外的数据写入或擦除操作,增强了数据的安全性和系统稳定性。
HY29F400BT90适用于需要非易失性存储器进行程序存储和执行的各类电子系统,例如工业控制设备、嵌入式系统、通信模块、网络设备、手持终端和消费类电子产品。由于其快速的随机读取能力和低功耗特性,它特别适合用于需要频繁读取和执行代码的应用场景,如固件存储和启动代码加载。
AM29F400BT-90, MX29F400BTC-90, SST39VF400A-90