类型：Flash存储器
　　存储容量：4Mbit
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　封装尺寸：54引脚
　　读取电流（最大）：20mA
　　待机电流（最大）：10μA

HY29F400ABT-55I 是一款高性能的NOR型Flash存储器，专为低功耗和高速访问设计。该芯片支持2.7V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种电源配置的系统。其55ns的访问时间确保了快速的数据读取能力，适用于需要快速启动和执行代码的应用场景。
　　该芯片采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合工业级应用。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
　　此外，HY29F400ABT-55I 具备出色的耐用性和数据保持能力，可支持高达100,000次的擦写周期，并能保持数据长达10年。这使得它成为需要长期可靠存储的工业、通信和消费类电子产品中的理想选择。
　　该芯片还集成了多种保护功能，包括硬件写保护和低电压检测，以防止在电源不稳定时发生意外写入或数据损坏。这些特性确保了系统的稳定性和数据完整性。

HY29F400ABT-55I 适用于多种需要非易失性存储器的嵌入式系统，包括工业控制器、通信设备、测量仪器、车载导航系统和便携式电子设备。由于其高速读取能力和低功耗设计，该芯片常用于需要快速启动和执行代码的系统，例如固件存储和BIOS存储应用。
　　此外，该Flash芯片也可用于需要长期数据存储的场景，如数据记录器、监控设备和智能卡终端。其工业级温度范围和高可靠性使其适用于户外设备和恶劣环境中的应用。
　　在消费类电子产品中，HY29F400ABT-55I 可用于数码相机、音频播放器和家用电器的固件存储。其TSOP封装形式有助于减小电路板空间，提高整体设计的紧凑性。

AM29F400BT-55I, MX29F400ECT-55G