您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HY29F080TT-90

HY29F080TT-90 发布时间 时间:2025/9/1 13:26:33 查看 阅读:11

HY29F080TT-90是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的8位非易失性存储器(NOR Flash)芯片,具有8Mbit(1M x 8)的存储容量。该芯片属于早期的Flash存储器产品,适用于需要快速读取和持久存储的嵌入式系统应用。

参数

容量:8Mbit(1M x 8)
  电压范围:5V
  封装类型:TSOP
  访问时间:90ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行(8位数据总线)

特性

HY29F080TT-90是一款基于NOR架构的Flash存储器,支持快速的随机读取操作,适合用于代码存储和执行(Execute In Place, XIP)。该芯片采用5V电源供电,具备较高的稳定性和可靠性,适用于工业控制、通信设备以及老式嵌入式系统。
  其90ns的访问时间保证了较快的数据读取速度,满足中低端嵌入式处理器对存储器响应速度的需求。TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并具备良好的热稳定性和机械强度。
  该Flash芯片支持页编程和扇区擦除操作,具备一定的灵活性,适用于需要部分更新数据的应用场景。同时,它具有较高的擦写耐久性,适合长期运行的工业设备使用。

应用

HY29F080TT-90广泛应用于工业控制设备、通信模块、老式嵌入式系统、网络设备、测量仪器等需要非易失性代码存储的场合。由于其8位并行接口设计,它也适用于与传统8位或16位微控制器连接的系统中。

替代型号

AM29F080B-90JE, M29F080B-90N1

HY29F080TT-90推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价