容量：8Mbit
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　数据总线宽度：8位
　　封装类型：TSOP
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程/擦除电压：内部产生
　　擦除块大小：多个可配置扇区
　　写保护功能：硬件和软件支持

HY29F080TT-70具备多项出色的特性，使其在各种嵌入式应用中表现出色。首先，该芯片支持高性能的随机读取操作，访问时间仅为70ns，确保了快速的数据存取能力。其8Mbit的存储容量适合存储固件、引导代码和关键数据。此外，芯片支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　 该器件具有高度的耐用性，每个扇区可承受多达10万次的擦写循环，确保长期可靠运行。同时，数据保持能力超过10年，即使在极端环境下也能保证数据完整性。HY29F080TT-70支持多扇区擦除功能，允许用户灵活地管理存储空间，避免不必要的数据擦除。
　　 写保护功能是该芯片的另一大亮点，用户可以通过硬件引脚或软件命令对特定扇区进行锁定，防止意外写入或擦除。这一功能在系统更新或调试过程中尤为重要，可有效防止固件损坏。此外，芯片内部集成了编程和擦除所需的高压电路，简化了系统设计，减少了外部电路需求。

HY29F080TT-70广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见的应用包括工业控制设备、通信模块（如路由器、交换机）、消费类电子产品（如数码相机、手持设备）、智能卡终端以及汽车电子系统。其高速读取能力和低功耗特性使其特别适合用于需要频繁读取但写入较少的应用场景，例如存储启动代码或配置信息。此外，该芯片也常用于固件更新、数据日志记录和小型数据库存储。

AM29F080B-70EI, MX29F080TC-70G, SST39SF800A-70-4C-NHE