时间：2025/9/2 9:00:36
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HY29F040AT-55 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的8位或16位并行闪存（Flash Memory）芯片，容量为4Mbit（512KB）。该芯片属于早期嵌入式系统和计算机应用中广泛使用的闪存器件，具有非易失性存储特性，适用于需要持久数据存储和固件存储的应用场景。该器件采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高可靠性和较长的数据保存周期等特点。
容量：4Mbit（512KB）
组织方式：512K x8/256K x16
电源电压：5V
访问时间：55ns
封装形式：TSOP/PLCC/PDIP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行接口
编程/擦除电压：内部产生，无需高电压
HY29F040AT-55 是一款基于NOR架构的并行Flash存储器，支持随机访问和快速读取操作。其55ns的访问时间使其适用于对速度有一定要求的系统应用。该芯片支持页编程和块擦除功能，擦除操作可以在不同的块大小下执行，提供了更高的灵活性。此外，HY29F040AT-55 还具备自动编程和擦除算法，可以简化外部控制器的操作流程。该芯片具有较高的数据保持能力，可在断电状态下保存数据至少10年，并支持至少10万次的编程/擦除周期，确保了较长的使用寿命。此外，其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低，适用于需要节能的应用环境。
HY29F040AT-55 通常用于需要固件存储的嵌入式系统，如工业控制设备、通信模块、汽车电子控制单元（ECU）、BIOS存储器、老式个人计算机和游戏机系统等。由于其并行接口设计和较高速度，该芯片也广泛应用于需要直接执行代码（XIP, eXecute In Place）的场合。在这些应用场景中，HY29F040AT-55 可以作为启动代码和关键数据的存储介质，确保系统稳定运行。
AM29F040B-55, MX29F040A-55, SST39SF040-55
