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HY29F040AT-55 发布时间 时间:2025/9/2 9:00:36 查看 阅读:10

HY29F040AT-55 是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的8位或16位并行闪存(Flash Memory)芯片,容量为4Mbit(512KB)。该芯片属于早期嵌入式系统和计算机应用中广泛使用的闪存器件,具有非易失性存储特性,适用于需要持久数据存储和固件存储的应用场景。该器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高可靠性和较长的数据保存周期等特点。

参数

容量:4Mbit(512KB)
  组织方式:512K x8/256K x16
  电源电压:5V
  访问时间:55ns
  封装形式:TSOP/PLCC/PDIP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  编程/擦除电压:内部产生,无需高电压

特性

HY29F040AT-55 是一款基于NOR架构的并行Flash存储器,支持随机访问和快速读取操作。其55ns的访问时间使其适用于对速度有一定要求的系统应用。该芯片支持页编程和块擦除功能,擦除操作可以在不同的块大小下执行,提供了更高的灵活性。此外,HY29F040AT-55 还具备自动编程和擦除算法,可以简化外部控制器的操作流程。该芯片具有较高的数据保持能力,可在断电状态下保存数据至少10年,并支持至少10万次的编程/擦除周期,确保了较长的使用寿命。此外,其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低,适用于需要节能的应用环境。

应用

HY29F040AT-55 通常用于需要固件存储的嵌入式系统,如工业控制设备、通信模块、汽车电子控制单元(ECU)、BIOS存储器、老式个人计算机和游戏机系统等。由于其并行接口设计和较高速度,该芯片也广泛应用于需要直接执行代码(XIP, eXecute In Place)的场合。在这些应用场景中,HY29F040AT-55 可以作为启动代码和关键数据的存储介质,确保系统稳定运行。

替代型号

AM29F040B-55, MX29F040A-55, SST39SF040-55

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