HY29DL163TT-90 时间：2025/9/2 22:17:53 阅读：6

HY29DL163TT-90 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款并行NOR闪存芯片。该芯片具有16Mbit的存储容量，采用55nm制造工艺，属于高性能的非易失性存储器解决方案。其主要用途是存储需要快速读取的代码和数据，例如在嵌入式系统、工业控制设备、消费电子产品和通信设备中。该芯片支持高速访问时间，适用于对性能和可靠性有较高要求的应用场景。

参数

容量：16Mbit
　　组织方式：x8/x16
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行NOR闪存接口
　　读取电流：典型值5mA（待机模式下低至10μA）

特性

HY29DL163TT-90 是一款高性能的并行NOR闪存芯片，其主要优势在于其快速的访问时间和低功耗设计。这款芯片支持x8或x16两种数据总线模式，提供了更大的灵活性以适应不同的系统需求。其访问时间为90ns，确保了代码的快速执行，非常适合用于需要即时启动和高效运行的系统。芯片的电源电压范围为2.7V至3.6V，使其能够在不同的电源条件下稳定运行。
　　此外，HY29DL163TT-90 还具有出色的耐用性和数据保持能力，可支持高达100,000次的擦写周期，并且数据可保持长达10年。该芯片采用TSOP封装形式，体积小巧且便于集成到各种电子设备中。其工作温度范围为工业级的-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定工作。

应用

HY29DL163TT-90 适用于多种嵌入式系统和工业设备，例如数字电视、机顶盒、网络路由器、工业控制器、医疗设备和测试仪器等。由于其高速访问时间和低功耗特性，这款芯片非常适合用于需要快速启动和高效执行代码的应用场景。例如，在消费类电子产品中，HY29DL163TT-90 可以作为存储启动代码和固件的首选存储器；在工业控制系统中，它可以用于存储关键的配置数据和程序代码；在通信设备中，该芯片可用于存储操作系统和应用程序，以确保设备的高效运行。