类型：NAND 闪存
　　容量：8 Gb（1 Gigabit x8）
　　封装类型：TSOP（Thin Small-Outline Package）
　　接口类型：8 位 NAND 接口
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　读取访问时间：50 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY27UU08CG2A-TPIB 是一款高性能、低功耗的 NAND 闪存芯片，采用 8 位并行接口设计，适用于多种嵌入式存储应用。其主要特性之一是具备高存储密度，可在较小的物理空间内提供较大的存储容量。该芯片支持快速读取和写入操作，读取访问时间低至 50 ns，使其能够满足高速数据存储的需求。
　　此外，该芯片采用 2.7V 至 3.6V 的宽电压范围设计，使其适用于多种电源条件下的系统，增强了其适应性。在工作温度方面，该芯片支持 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围，使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
　　HY27UU08CG2A-TPIB 还具备良好的耐用性和数据保持能力，可承受多次擦写操作，并确保数据在断电后仍能长时间保存。其 TSOP 封装形式有助于减少 PCB 占用空间，并提供良好的散热性能，适用于便携式设备和高密度电子系统。
　　由于其高可靠性和广泛的应用支持，该芯片被广泛用于消费电子产品、工业控制设备、存储扩展模块以及各类嵌入式存储系统中。

HY27UU08CG2A-TPIB 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统，如智能手机、MP3 播放器、数码相机、USB 存储设备、SD 存储卡以及各类嵌入式控制模块。此外，它还可用于工业自动化设备、手持终端设备以及固态硬盘（SSD）等对存储容量和稳定性有较高要求的场合。

K9F5608U0C-YCB0, TC58NVG2S0HFT00, MT29F8G08ABAFAWPCE