容量：1Gb
　　类型：NAND 闪存
　　数据宽度：8 位
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　读取速度：最大 25μs
　　写入速度：最大 200μs
　　擦除速度：最大 2ms
　　耐用性：10 万次擦写周期
　　数据保持时间：10 年

HY27UU08BG5A-TPIB 具备多项关键特性，以满足高性能和高可靠性存储的需求。首先，其 1Gb 的存储容量能够支持中高端嵌入式系统的应用需求。8 位数据宽度设计允许在微控制器或嵌入式处理器之间实现高效的并行数据传输。TSOP 封装形式不仅保证了良好的电气性能，同时具有较小的体积，适合空间受限的设备设计。
　　该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级标准，确保在严苛环境下仍能稳定运行。电源电压范围为 2.7V 至 3.6V，具备较强的电压适应能力，适用于多种供电环境。其读取速度可达 25μs，写入速度为 200μs，擦除时间为 2ms，能够满足实时数据存储的需求。
　　在耐用性方面，HY27UU08BG5A-TPIB 支持高达 10 万次的擦写周期，显著延长了产品的使用寿命。此外，其数据保持时间可达 10 年以上，确保数据在断电状态下依然安全可靠。

HY27UU08BG5A-TPIB 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用场景包括工业控制设备、智能卡终端、便携式医疗设备、车载导航系统、通信模块以及家用电器中的固件存储。其高性能、高可靠性和宽温工作特性使其成为工业和汽车电子领域理想的存储解决方案。此外，该芯片也可用于需要频繁读写和长期数据保存的数据记录设备。

K9F1G08U0B-PCB0, NAND128W3A2BNA