存储容量：8GB
　　封装类型：TSOP
　　电压供应：2.7V - 3.6V
　　接口类型：ONFI 1.0兼容
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s
　　擦除速度：最大2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储单元类型：SLC（单层单元）
　　数据保持时间：10年

HY27UT088G5M-TPCB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，具备多种特性以满足不同应用场景的需求。其8GB存储容量适合中高端嵌入式设备使用，能够存储大量操作系统、应用程序和用户数据。芯片采用ONFI 1.0兼容接口，支持高速数据传输，确保了设备的快速启动和高效运行。
　　该芯片支持SLC（单层单元）存储技术，相较于MLC（多层单元）和TLC（三层单元）技术，SLC具有更高的读写性能、更低的功耗和更长的使用寿命，非常适合对数据可靠性和稳定性要求较高的工业应用。此外，其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于空间受限的设备设计。
　　HY27UT088G5M-TPCB 支持宽电压范围（2.7V - 3.6V），增强了其在不同电源条件下的适应性，使其可以在各种复杂的电源环境中稳定工作。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，能够在恶劣环境条件下保持稳定的性能。

HY27UT088G5M-TPCB 主要应用于需要高可靠性、低功耗和高存储密度的嵌入式系统中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、数码相机、导航设备、工业控制设备以及嵌入式固态硬盘（SSD）。由于其良好的温度适应性和高稳定性，该芯片也广泛用于车载电子系统、医疗设备、智能电表和物联网（IoT）设备等工业和通信领域。
　　在消费类电子产品中，HY27UT088G5M-TPCB 被用于存储操作系统、应用程序、用户数据以及缓存信息，支持设备的快速启动和高效运行。在工业设备中，它能够提供长期稳定的数据存储解决方案，满足工业自动化和数据采集系统的高可靠性要求。

K9F8G08U0A-PCB0, TC58NVG1S3BTA00, NAND8G-TC-124I