时间：2025/9/1 18:49:15
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HY27US08121BTP1B 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片。这款存储芯片属于早期的NAND闪存产品，广泛应用于嵌入式系统、固态存储设备以及早期的消费类电子产品中。HY27US08121BTP1B 具有较高的可靠性和稳定性，适合用于需要中等容量存储的应用场景。该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，便于在各种电子设备中集成。
容量：128MB
工艺制程：未明确标注
封装类型：TSOP
接口类型：NAND Flash Interface
工作电压：2.7V - 3.6V
数据宽度：8位
擦写次数：约10万次
数据保持时间：10年
HY27US08121BTP1B 是一款标准的NAND闪存芯片，具备快速读写能力和较高的数据保持稳定性。该芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗的特点，适用于电池供电设备。
其8位并行接口设计支持高速数据传输，适用于当时的嵌入式存储系统和手持设备。
该芯片支持页编程和块擦除操作，具备良好的耐用性和数据可靠性，适合用于需要频繁写入和读取的应用场景。
此外，HY27US08121BTP1B 的TSOP封装形式使其在PCB布局中占用空间较小，并具备良好的散热性能，适合在紧凑型设备中使用。
HY27US08121BTP1B 常见于早期的便携式电子产品，如MP3播放器、数码相机、PDA（个人数字助理）以及嵌入式控制系统。该芯片也可用于工业设备中的固态存储模块，用于存储固件或用户数据。在一些需要中等容量非易失性存储的控制系统中，如车载导航系统或工业自动化设备中，HY27US08121BTP1B 也得到了应用。此外，该芯片还曾广泛用于开发板和教学实验平台，用于NAND闪存的测试与开发。
K9F1208U0B, K9F5608U0B, NAND512R3A, MT29F1G08ABA
