容量：1Gbit
　　接口类型：8位 NAND 接口
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：48-pin
　　最大读取速度：50MB/s
　　最大写入速度：20MB/s
　　擦除块大小：16KB
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY27US08121AFPCB 是一款高性能的NAND闪存芯片，具备优异的读写性能和可靠性。该芯片支持8位并行接口，允许与主控器之间进行高速数据传输，适用于需要快速访问存储数据的应用场景。其工作电压范围为2.7V至3.6V，使其在多种电源条件下都能稳定运行。
　　该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）设计，封装尺寸为48引脚，适用于空间受限的嵌入式设备和便携式电子产品。其最大读取速度可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，能够满足中高端嵌入式系统的性能需求。
　　此外，HY27US08121AFPCB 支持块擦除功能，每个擦除块的大小为16KB，这种设计有助于提高存储管理效率并延长芯片的使用寿命。芯片还支持错误校正码（ECC）功能，能够在数据读写过程中自动检测和纠正错误，从而提高数据的完整性与可靠性。
　　其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业和消费类环境中使用。这款NAND闪存芯片还具备较强的抗干扰能力和低功耗特性，适合长时间运行的设备使用。

HY27US08121AFPCB 主要应用于嵌入式系统、MP3播放器、数码相机、USB存储设备、工业控制器、车载导航系统等需要大容量非易失性存储的设备。由于其高性能和可靠性的特点，该芯片也常用于需要频繁读写操作的工业级应用中。

K9F1G08U0A, K9F1G08U0B, TC58NVG1S3BFT00