容量：8GB
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：52
　　接口类型：ONFI 1.0兼容
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY27UK08BGFM-TPIP 是一款高性能的NAND闪存芯片，具备8GB的大容量存储能力，适用于多种嵌入式应用。该芯片支持ONFI 1.0标准接口，具有较高的数据传输速率，读取速度可达50MB/s，写入速度约为20MB/s，能够满足对存储性能有较高要求的应用场景。
　　该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，适应性强，能够在多种电源条件下稳定运行。其封装形式为TSOP，共有52个引脚，便于在PCB上布局和焊接，适用于大批量生产。
　　芯片的擦除操作速度较快，单个块的擦除时间约为2ms，提高了整体的存储效率。此外，HY27UK08BGFM-TPIP 的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业级环境中使用，确保在极端温度条件下依然能够稳定工作。
　　该NAND闪存芯片还具备较高的耐用性和可靠性，支持上万次的擦写操作，延长了产品的使用寿命。同时，它内置错误检测和纠正机制，能够有效防止数据丢失或损坏，提高系统的稳定性。

HY27UK08BGFM-TPIP 广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中，包括但不限于消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、数码相机等）、工业控制系统、通信设备（如路由器、交换机）、汽车电子系统（如车载导航、行车记录仪）以及各种需要大容量非易失性存储的物联网设备。

K9F8G08U0A, TC58NVG1S3AFT00, MT29F8G08ABAFA4