型号: HY27UH08CG5A-TPIB
　　容量: 8GB
　　接口类型: NAND闪存接口
　　封装类型: TSOP
　　电源电压: 3.3V
　　工作温度范围: 工业级（-40°C至+85°C）
　　数据读取速度: 最大可达50MB/s
　　数据写入速度: 最大可达20MB/s
　　擦除速度: 块擦除时间约2ms
　　页面大小: 4KB
　　块大小: 256KB
　　

HY27UH08CG5A-TPIB NAND闪存芯片具有多项显著特性，包括高存储密度、低功耗设计和耐用性强。该芯片采用4KB页面大小设计，支持高效的随机读写操作，适合用于需要频繁数据更新的应用场景。
　　其TSOP封装形式不仅节省空间，而且具有良好的热稳定性和机械强度，适用于各种嵌入式设备和便携式电子产品。
　　此外，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据存储和传输过程中检测并纠正错误，提高系统的可靠性。其擦写寿命高达10万次以上，适合要求高耐久性的应用场景。
　　该芯片还支持多种先进的闪存管理功能，如磨损均衡（wear leveling）和坏块管理（bad block management），从而延长使用寿命并提高数据完整性。
　　在功耗方面，HY27UH08CG5A-TPIB具有低待机功耗和动态电源管理功能，适合用于电池供电设备。

HY27UH08CG5A-TPIB 主要应用于需要大容量非易失性存储器的嵌入式系统和便携式设备，如智能手机、平板电脑、数码相机、MP3播放器和便携式导航设备（PND）。此外，该芯片也可用于工业控制系统、车载信息娱乐系统（IVI）和智能电视等产品中。由于其高可靠性和良好的温度适应性，HY27UH08CG5A-TPIB也适用于一些工业级和汽车电子应用场合。在固态硬盘（SSD）设计中，该芯片可作为辅助存储单元，用于缓存或数据日志记录等功能。

K9F8G08U0D-PCB0, TC58NVG2S0HRAI4, MT29F64G08CBABA