品牌：SK Hynix
　　型号：HY27UG08CGFM-TPCB
　　存储类型：NAND Flash
　　接口类型：8位并行接口
　　容量：128MB（具体容量可能因制造批次或规格不同而略有差异）
　　电压范围：通常为2.7V至3.6V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C），具体取决于版本
　　擦写寿命：约10万次（P/E周期）
　　数据保持时间：10年以上
　　数据总线宽度：8位
　　读取访问时间：约50ns至70ns

HY27UG08CGFM-TPCB具备多项显著特性，使其在嵌入式系统和存储应用中表现出色。首先，其采用的并行接口提供了较高的数据传输速率，适用于需要快速读写操作的应用。其次，该芯片具备良好的耐久性和数据保持能力，能够在极端环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等高可靠性要求的领域。
　　此外，HY27UG08CGFM-TPCB支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正单比特错误，提升系统的数据完整性和稳定性。芯片内部还集成了坏块管理机制，能够在出厂前或使用过程中自动标记和跳过损坏的存储块，从而延长芯片的使用寿命。
　　该芯片的低功耗设计也使其适用于便携式设备和电池供电系统。在待机模式下，芯片的功耗非常低，有助于延长设备的续航时间。同时，其TSOP封装形式有利于节省PCB空间，提高系统的集成度。

HY27UG08CGFM-TPCB广泛应用于多种需要非易失性存储的系统中。例如，它常见于固态硬盘控制器中，作为缓存或元数据存储；在嵌入式系统中，作为主存储器用于存储操作系统、应用程序和用户数据；在数字相机、MP3播放器和USB闪存盘等消费类电子产品中，作为主要的存储介质。
　　此外，该芯片也适用于工业控制设备、自动化系统、车载导航系统和通信模块等对稳定性和可靠性有较高要求的领域。由于其具备较高的擦写寿命和良好的错误管理机制，因此也常用于需要频繁进行数据更新的日志记录系统和数据采集设备。

K9F1208U0B-PCB00, K9F1G08U0A-PIB0C, NAND512R3A0BNCP, MT29F1G08ABBEA-L