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HY27UG08BG5M-TPCB 发布时间 时间:2025/9/1 20:29:21 查看 阅读:12

HY27UG08BG5M-TPCB 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片主要用于大容量数据存储应用,例如固态硬盘、存储卡和USB闪存盘等。这款芯片属于SLC(单层单元)NAND闪存,具有较高的可靠性和较长的使用寿命。它采用了标准的TSOP封装形式,便于集成到各种电子设备中。

参数

容量:512MB
  电压范围:2.7V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  接口类型:ONFI 1.0兼容
  读取速度:最高50MB/s
  写入速度:最高20MB/s
  擦除时间:块擦除时间约为2ms
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

HY27UG08BG5M-TPCB是一款高性能的NAND闪存芯片,具有低功耗设计,适用于便携式电子设备。该芯片的SLC技术确保了数据存储的高可靠性和较长的擦写寿命,通常可达到10万次以上的擦写周期。此外,它支持坏块管理功能,能够在出厂时标记不可靠的存储块,从而提高产品的整体可靠性。该芯片还支持ECC(错误校正码)功能,可在数据读取过程中检测和纠正单比特错误,确保数据完整性。其ONFI 1.0兼容接口使得它可以方便地与各种主控芯片连接,简化了系统设计。
  此外,HY27UG08BG5M-TPCB支持页编程和块擦除操作,适用于需要频繁更新数据的应用场景。其TSOP封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性,适合在各种工业和消费类电子产品中使用。该芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。

应用

HY27UG08BG5M-TPCB广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中,例如数码相机、MP3播放器、便携式游戏机、嵌入式系统和工业控制设备。由于其高可靠性和长寿命特性,该芯片也常用于工业级存储解决方案,如工业用SSD、医疗设备和车载导航系统。此外,它还适用于需要频繁写入和擦除操作的物联网(IoT)设备和数据记录仪。

替代型号

K9F5108U0C-PCB0, TC58NVG1S3AFT00, NAND512R3A2B4E6XG

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