容量：8Gbit（1GB）
　　工艺技术：NAND闪存
　　接口类型：8位并行接口
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　电源电压：2.7V至3.6V
　　编程时间：典型值为200μs/页
　　擦除时间：典型值为2ms/块
　　读取时间：50ns（最大）
　　数据保持时间：10年
　　可靠性：每块可擦写10万次

HY27UG088G5M-TPIB 是一款高性能的NAND闪存器件，具备高速读写能力与良好的数据保持特性。其8位并行接口支持快速数据传输，适用于需要大容量存储且对速度有一定要求的应用系统。该芯片采用先进的浮栅技术，确保了数据的长期稳定存储。同时，该芯片具备较高的耐用性，支持多达10万次的擦写周期，适用于频繁读写操作的系统。在功耗方面，HY27UG088G5M-TPIB优化了待机与操作状态下的功耗表现，使其适用于便携式设备与电池供电系统。此外，其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，并提供良好的热管理能力，确保在高负载条件下依然稳定运行。
　　该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，系统可通过ECC机制检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。此外，HY27UG088G5M-TPIB具有自动坏块管理功能，在出厂时即标记坏块，避免系统访问无效存储区域。其兼容性强，支持多种NAND控制器，便于集成到现有系统中。该芯片还具备低功耗模式，适合对功耗敏感的应用场景。

HY27UG088G5M-TPIB 主要用于各种嵌入式系统和存储设备，包括数码相机、MP3播放器、USB闪存盘、固态硬盘（SSD）、工业控制系统、车载导航系统、医疗设备、便携式游戏机等。其高容量和低功耗特性也使其成为智能手机、平板电脑等移动设备的理想存储解决方案。此外，该芯片也适用于需要高可靠性和长寿命的工业和车载应用。

K9F1G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3AFT00, MT29F1G08ABBEAH4-12